2. Схема получения карт EBSD
Для получения картин дифракции отраженных электронов (ДОЭ) с помощью растрового электронного микроскопа плоскополированный образец наклоняют под углом около 70 градусов по отношению к горизонтали (в силу пространственной неоднородности интенсивности дифрагирующих электронов). Электронный зонд направляют в интересующую точку на поверхности образца: упругое рассеяние падающего пучка вынуждает электроны отклоняться от этой точки непосредственно ниже поверхности образца и «налетать» на кристаллические плоскости со всех сторон. В тех случаях, когда удовлетворяется условие дифракции Брэгга для плоскостей атомов решетки кристалла (рисунок 97), образуются по 2 конусообразных пучка дифрагированных электронов для каждого семейства кристаллических плоскостей (рисунок 98). Эти конусы электронов можно сделать видимыми, поместив на их пути фосфоресцирующий экран, а вслед за ним высокочувствительную камеру для наблюдения (цифровую CCD камеру). Обычно камера располагается горизонтально, с тем, чтобы фосфоресцирующий экран находился ближе к образцу, с широким углом захвата дифракционной картины (рисунок 99).
Рисунок 96 – Распределение интенсивности отраженных электронов
Рисунок 97 – Условие дифракции Брегга (λ – длина волны опорного излучения, θ – угол дифракции Брегга, ԁ - межплоскостное расстояние, h – постоянная Планка, e – заряд электрона, V – величина ускоряющего напряжения, m0 – масса электрона, c – скорость света)
