Лекция 2. Взаимодействие электронного пучка с образцом
Страница 10 из 13
Полупроводниковые детекторы
Работа основана на процессе образования в полупроводнике электронно-дырочных пар при попадании в него электронов с высокой энергией. Прежде всего, чувствителен к высокоэнергетическим отраженным электронам (рисунок 25). Амплитуда электрического сигнала на выходе детектора определяется энергией отраженных электронов, попавших в него.
Рисунок 25 – Полупроводниковый детектор (а) и схема формирования изображения с помощью этого детектора (COMPO - композиционный контраст, TOPO – топографический контраст) (б)
